(1)正しい
IGBT はゲート―エミッタ間電圧による電圧駆動形の素子です。
(2)誤り
パワー MOSFET はゲート―ソース間電圧による電圧駆動形の素子です。キャリア蓄積効果があることから，スイッチングが瞬時に行われず，スイッチング損失が発生します。
(3)正しい
パワー MOSFET は電子もしくは正孔のどちらかがキャリアであり，ユニポーラデバイスであるといいます。バイポーラトランジスタと比べてオン状態における抵抗値は高いです。
(4)正しい
IGBT はバイポーラトランジスタと MOSFET を組み合わせたようなデバイスで，バイポーラトランジスタのスイッチング特性を改善している特徴があります。
(5)正しい
パワー MOSFET では，高電圧で発熱するため，大容量に向かないという特徴がありますが，シリコンのかわりに SiC を用いることで，高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になるようになってきています。
[解答・・・②]
〇参考
《機械》〈パワーエレクトロニクス〉[R2:問10]パワー半導体スイッチングデバイスの比較に関する論説問題
【電験3種(R2年度)】理論科目：問11 可変容量ダイオードの原理や特性
【おすすめテキスト】
| 楽天 | アマゾン |
|---|---|
 |
■資格取得に関してのおすすめ記事
・【教育・学習】満足した人生を送るために知っておきたい、教育・学習のこと
・モノづくりWEB
・資格取得のその先… まず第一に「資格」自体取得したところであまり意味をなしません。資格取得はゴールではなく稼ぐための手段なのです
・学歴・資金・資格なしでも人生を一発逆転できる方法とは
・仕事で成果を上げるために必要な2つの「仕事の構造化」と「仕事のシステム化」について
