【電験3種(R2年度)】機械科目：問10 パワー半導体「IGBT」と「パワー MOSFET」の比較

(1)正しい IGBT はゲート―エミッタ間電圧による電圧駆動形の素子です。 (2)誤りパワー MOSFET はゲート―ソース間電圧による電圧駆動形の素子です。キャリア蓄積効果があることから，スイッチングが瞬時に行われず，スイッチング損失が発生します。 (3)正しいパワー MOSFET は電子もしくは正孔のどちらかがキャリアであり，ユニポーラデバイスであるといいます。バイポーラトランジスタと比べてオン状態における抵抗値は高いです。 (4)正しい IGBT はバイポーラトランジスタと MOSFET を組み合わせたようなデバイスで，バイポーラトランジスタのスイッチング特性を改善している特徴があります。 (5)正しいパワー MOSFET では，高電圧で発熱するため，大容量に向かないという特徴がありますが，シリコンのかわりに SiC を用いることで，高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になるようになってきています。 [解答・・・②] 〇参考《機械》〈パワーエレクトロニクス〉[R2:問10]パワー半導体スイッチングデバイスの比較に関する論説問題【電験3種(R2年度)】理論科目：問11　可変容量ダイオードの原理や特性日本の半導体戦略とARM 【おすすめテキスト】